IXFK200N10P, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 200A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | IXYS Corporation |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 200A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 7.5 мОм @ 100А, 10В |
| Мощность макс.: | 830Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В @ 8mA |
| Заряд затвора: | 235нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 7600пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-264AA (IXFK) |
| Вес брутто: | 13.04 г. |
| Наименование: | IXFK200N10P |
| Производитель: | IXYS Corporation |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 25 шт |
Описание
Компонент IXFK200N10P, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 200A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 200A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 100А, 10В Мощность макс.: 830Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Производитель: IXYS Corporation. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.