Представляем вашему вниманию IRFB3256PBF - высокопроизводительный N-канальный полевой транзистор MOSFET от Infineon Technologies. Этот транзистор отличается высокой надежностью, малым сопротивлением открытого канала и способностью работать при значительных токовых нагрузках. Его характеристики делают его идеальным выбором для широкого спектра применений в современной электронике.

Ключевые характеристики IRFB3256PBF:

• Напряжение исток-сток макс.: 60В
• Ток стока макс.: 75A
• Сопротивление открытого канала: 3.4 мОм
• Мощность макс.: 300Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 195нКл
• Входная емкость: 6600пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220AB
• Вес брутто: 2.89 г.
• Описание Eng: MOSFET N CH 60V 75A TO-220AB
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

IRFB3256PBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, сварочное оборудование, приводы электродвигателей и многое другое. Благодаря своим превосходным техническим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для разработчиков, стремящихся создавать надежные и эффективные электронные устройства.