IRFL024NTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.8А 2.1Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 2.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 75 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 18.3нКл |
| Входная емкость: | 400пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.37 г. |
| Наименование: | IRFL024NTRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный IRFL024NTRPBF от компании Infineon Technologies. Этот компонент отличается надежностью, высокой производительностью и широким спектром применения в электронных устройствах.
Транзистор IRFL024NTRPBF обладает напряжением сток-исток до 55В, максимальным током стока 2.8А и сопротивлением открытого канала всего 75 мОм. Он также поддерживает максимальную мощность 1Вт, что делает его универсальным решением для различных схемотехнических задач.
- Напряжение исток-сток макс.: 55В
- Ток стока макс.: 2.8A
- Сопротивление открытого канала: 75 мОм
- Мощность макс.: 1Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 18.3нКл
- Входная емкость: 400пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-223
- Вес брутто: 0.37 г.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 2500 шт
Транзистор IRFL024NTRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, двигатели и другие устройства, где требуется надежное и высокопроизводительное управление мощными нагрузками. Благодаря своим характеристикам, он является отличным выбором для современных электронных схем, где важны компактность, эффективность и надежность.