• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRLI520NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 8.1A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:100В
Ток стока макс.:8.1A
Сопротивление открытого канала:180 мОм
Мощность макс.:30Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:20нКл
Входная емкость:440пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-220AB Full-Pak
Вес брутто:2.88 г.
Наименование:IRLI520NPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:50 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET IRLI520NPBF от компании Infineon Technologies. Этот мощный N-канальный транзистор обладает широким спектром технических характеристик, позволяющих использовать его в различных электронных схемах и устройствах.

Транзистор IRLI520NPBF отличается высокой надежностью, стабильностью параметров и долговечностью, что делает его отличным выбором для применения в силовой электронике, источниках питания, инверторах, приводах, а также других областях, где требуется управление высокими токами и напряжениями.

  • Напряжение исток-сток макс.: 100В
  • Ток стока макс.: 8.1A
  • Сопротивление открытого канала: 180 мОм
  • Мощность макс.: 30Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 2В
  • Заряд затвора: 20нКл
  • Входная емкость: 440пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220AB Full-Pak
  • Вес брутто: 2.88 г.

Транзистор IRLI520NPBF от Infineon Technologies идеально подходит для применения в широком спектре электронных устройств, таких как источники питания, регуляторы напряжения, инверторы, приводы электродвигателей, усилители мощности и другие схемы, где требуется управление высокими токами и напряжениями. Его надежность и стабильность параметров гарантируют долговечную и безотказную работу в различных условиях эксплуатации.