• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRLR8256TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 25В 81A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:25В
Ток стока макс.:81A
Сопротивление открытого канала:5.7 мОм
Мощность макс.:63Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:2.35В
Заряд затвора:15нКл
Входная емкость:1470пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:DPAK/TO-252AA
Вес брутто:0.63 г.
Наименование:IRLR8256TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:2000 шт

Описание

Представляем мощный полевой транзистор IRLR8256TRPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот N-канальный MOSFET-транзистор с логическим уровнем управления затвором обладает впечатляющими характеристиками и предназначен для широкого спектра применений в электронных устройствах.

Ключевые характеристики данного компонента:

  • Напряжение исток-сток макс.: 25В
  • Ток стока макс.: 81A
  • Сопротивление открытого канала: 5.7 мОм
  • Мощность макс.: 63Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
  • Заряд затвора: 15нКл
  • Входная емкость: 1470пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: DPAK/TO-252AA
  • Вес брутто: 0.63 г
  • Описание Eng: MOSFET N-CH 25V 81A DPAK
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 2000 шт

Благодаря своим характеристикам, транзистор IRLR8256TRPBF идеально подходит для использования в различных силовых схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, приводы электродвигателей, системы управления освещением и многих других применениях, где требуется высокая мощность и надежность. Его малый размер и поверхностный монтаж делают его отличным выбором для компактных и миниатюрных устройств.