IRLR8743TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 160А 135Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 160A |
| Сопротивление открытого канала: | 3.1 мОм |
| Мощность макс.: | 135Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.35В |
| Заряд затвора: | 59нКл |
| Входная емкость: | 4880пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.41 г. |
| Наименование: | IRLR8743TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 160A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный IRLR8743TRPBF от компании Infineon Technologies. Данный компонент отличается высокой производительностью, надежностью и универсальностью применения в различных электронных схемах.
IRLR8743TRPBF является мощным N-канальным транзистором с максимальным напряжением сток-исток 30В, максимальным током стока 160А и максимальной мощностью 135Вт. Транзистор имеет сверхнизкое сопротивление открытого канала всего 3.1 мОм, что обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 160A
- Сопротивление открытого канала: 3.1 мОм
- Мощность макс.: 135Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.35В
- Заряд затвора: 59нКл
- Входная емкость: 4880пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: DPAK/TO-252AA
- Вес брутто: 0.41 г.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 2000 шт
Благодаря своим характеристикам, IRLR8743TRPBF идеально подходит для использования в различных силовых схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, а также в автомобильной электронике, промышленном оборудовании и других приложениях, где требуется высокая мощность и эффективность.