BSS138BKW,115, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0,32А 0.31Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 320мА |
| Сопротивление открытого канала: | 1.6 Ом |
| Мощность макс.: | 260мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Automotive, Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.6В |
| Заряд затвора: | 0.7нКл |
| Входная емкость: | 56пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-323 |
| Вес брутто: | 0.04 г. |
| Наименование: | BSS138BKW,115 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V SOT323 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный BSS138BKW,115 от компании NEXPERIA. Этот компонент отличается высокой надежностью, широким диапазоном рабочих напряжений и токов, а также оптимальным соотношением цены и качества. Благодаря своим характеристикам он находит широкое применение в различных электронных устройствах и схемах.
Основные технические характеристики транзистора BSS138BKW,115:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В
- Ток стока макс.: 320мА
- Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
- Мощность макс.: 260мВт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Automotive, Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 1.6В
- Заряд затвора: 0.7нКл
- Входная емкость: 56пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-323
- Вес брутто: 0.04 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 60V SOT323
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 3000 шт
Транзистор BSS138BKW,115 находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как блоки питания, усилители, коммутаторы, системы управления и многое другое. Его характеристики делают его идеальным выбором для использования в автомобильной электронике, а также в логических схемах, работающих на низких напряжениях. Благодаря компактному корпусу и поверхностному монтажу, этот транзистор легко интегрируется в современные электронные устройства.