STN4NF20L, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 1A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 1A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.5 Ом |
| Мощность макс.: | 3.3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 0.9нКл |
| Входная емкость: | 150пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-223 |
| Вес брутто: | 0.3 г. |
| Наименование: | STN4NF20L |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой N-канальный транзистор STN4NF20L от компании ST Microelectronics. Данный компонент отличается высокой надежностью, широким диапазоном напряжений и токов, а также компактным размером корпуса, что делает его универсальным решением для различных электронных устройств.
Транзистор STN4NF20L характеризуется максимальным напряжением сток-исток до 200В и максимальным током стока до 1А. Низкое сопротивление открытого канала всего 1.5 Ом обеспечивает высокую эффективность и малые потери мощности. Особенностью данного транзистора является поддержка логических уровней управления, что позволяет упростить схемотехнику и снизить требования к драйверу.
- Напряжение исток-сток макс.: 200В
- Ток стока макс.: 1A
- Сопротивление открытого канала: 1.5 Ом
- Мощность макс.: 3.3Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 3В
- Заряд затвора: 0.9нКл
- Входная емкость: 150пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SOT-223
- Вес брутто: 0.3 г
Транзистор STN4NF20L находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, а также в схемах управления электродвигателями и других мощных нагрузках. Его компактный размер, высокая надежность и эффективность делают его отличным выбором для разработчиков электронных устройств.