• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

PMV40UN2R, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3,7A 0,49Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:NEXPERIA
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:30В
Ток стока макс.:3.7A
Сопротивление открытого канала:44 мОм
Мощность макс.:490мВт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:900mВ
Заряд затвора:12нКл
Входная емкость:635пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:TO-236AB
Вес брутто:0.03 г.
Наименование:PMV40UN2R
Производитель:NEXPERIA
Описание Eng:MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:3000 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канальный PMV40UN2R от надёжного производителя NEXPERIA. Этот транзистор предназначен для использования в широком спектре электронных устройств, где требуется надёжное и эффективное управление током и напряжением.

Основные характеристики данного транзистора включают в себя максимальное напряжение сток-исток 30В, максимальный ток стока 3.7A, малое сопротивление открытого канала 44 мОм и максимальную мощность 490мВт. Транзистор имеет логический уровень управления затвором, что позволяет использовать его в цифровых схемах с низковольтным питанием.

  • Напряжение исток-сток макс.: 30В
  • Ток стока макс.: 3.7A
  • Сопротивление открытого канала: 44 мОм
  • Мощность макс.: 490мВт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 900мВ
  • Заряд затвора: 12нКл
  • Входная емкость: 635пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: TO-236AB
  • Вес брутто: 0.03 г.
  • Описание Eng: MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 3000 шт

Транзистор PMV40UN2R идеально подходит для использования в широком спектре электронных приложений, таких как источники питания, усилители, коммутаторы, регуляторы напряжения и другие устройства, где требуется надёжное и эффективное управление электрическими параметрами. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков, работающих в области электроники и схемотехники.