• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRFR3710ZTRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:100В
Ток стока макс.:42A
Сопротивление открытого канала:18 мОм
Мощность макс.:140Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:100нКл
Входная емкость:2930пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:DPAK/TO-252AA
Вес брутто:0.66 г.
Наименование:IRFR3710ZTRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:2000 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канального типа IRFR3710ZTRPBF от компании Infineon Technologies. Этот компонент предназначен для использования в широком спектре электронных устройств, требующих надежного и эффективного управления мощными токами.

Транзистор IRFR3710ZTRPBF отличается превосходными характеристиками, такими как высокое напряжение сток-исток до 100В, большой ток стока до 42А и низкое сопротивление открытого канала всего 18 мОм. Эти параметры делают его идеальным решением для применений, где требуется управление большими токами и мощностями до 140Вт.

  • Напряжение исток-сток макс.: 100В
  • Ток стока макс.: 42А
  • Сопротивление открытого канала: 18 мОм
  • Мощность макс.: 140Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4В
  • Заряд затвора: 100нКл
  • Входная емкость: 2930пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: DPAK/TO-252AA
  • Вес брутто: 0.66 г
  • Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 2000 шт

Транзистор IRFR3710ZTRPBF находит широкое применение в различных областях электроники, включая силовую электронику, импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, а также в автомобильной электронике и промышленном оборудовании. Его высокие характеристики и надежность делают его незаменимым компонентом для проектирования эффективных и надежных электронных устройств.