IRF7493TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 9.3A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 80В |
| Ток стока макс.: | 9.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 15 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 53нКл |
| Входная емкость: | 1510пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | IRF7493TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой MOSFET транзистор IRF7493TRPBF от компании Infineon Technologies. Это мощный N-канальный транзистор с рабочим напряжением до 80В и максимальным током стока до 9.3А. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала в 15 мОм, данный транзистор обеспечивает высокую эффективность и малые потери при коммутации мощных нагрузок.
IRF7493TRPBF имеет ряд технических особенностей, делающих его универсальным решением для широкого спектра применений в электронной аппаратуре. Транзистор поддерживает логический уровень управления, что упрощает интеграцию в цифровые схемы, а малые значения входной емкости и заряда затвора обеспечивают высокое быстродействие и эффективное управление.
- Напряжение исток-сток макс.: 80В
- Ток стока макс.: 9.3A
- Сопротивление открытого канала: 15 мОм
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 53нКл
- Входная емкость: 1510пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип упаковки: Tape and Reel
- Нормоупаковка: 4000 шт
- Корпус: SO-8
Транзистор IRF7493TRPBF находит широкое применение в импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях напряжения, а также в схемах управления электродвигателями, реле и другой высокомощной электронной аппаратуре. Его сочетание высокой надежности, эффективности и компактности делает его идеальным выбором для современных энергоэффективных устройств.