• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRF7493TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 80В 9.3A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:80В
Ток стока макс.:9.3A
Сопротивление открытого канала:15 мОм
Мощность макс.:2.5Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:53нКл
Входная емкость:1510пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Вес брутто:0.2 г.
Наименование:IRF7493TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:4000 шт
Корпус:SO-8

Описание

Представляем вашему вниманию полевой MOSFET транзистор IRF7493TRPBF от компании Infineon Technologies. Это мощный N-канальный транзистор с рабочим напряжением до 80В и максимальным током стока до 9.3А. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала в 15 мОм, данный транзистор обеспечивает высокую эффективность и малые потери при коммутации мощных нагрузок.

IRF7493TRPBF имеет ряд технических особенностей, делающих его универсальным решением для широкого спектра применений в электронной аппаратуре. Транзистор поддерживает логический уровень управления, что упрощает интеграцию в цифровые схемы, а малые значения входной емкости и заряда затвора обеспечивают высокое быстродействие и эффективное управление.

  • Напряжение исток-сток макс.: 80В
  • Ток стока макс.: 9.3A
  • Сопротивление открытого канала: 15 мОм
  • Мощность макс.: 2.5Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4В
  • Заряд затвора: 53нКл
  • Входная емкость: 1510пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Тип упаковки: Tape and Reel
  • Нормоупаковка: 4000 шт
  • Корпус: SO-8

Транзистор IRF7493TRPBF находит широкое применение в импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях напряжения, а также в схемах управления электродвигателями, реле и другой высокомощной электронной аппаратуре. Его сочетание высокой надежности, эффективности и компактности делает его идеальным выбором для современных энергоэффективных устройств.