Мощный P-канальный полевой транзистор MOSFET IRF9333TRPBF от компании Infineon Technologies предназначен для использования в широком спектре электронных устройств и схем. Этот транзистор отличается высокой производительностью, надежностью и эффективностью, что делает его отличным выбором для инженеров и разработчиков, работающих над различными проектами.

Основные характеристики транзистора IRF9333TRPBF:

• Напряжение исток-сток макс.: 30В
• Ток стока макс.: 9.2A
• Сопротивление открытого канала: 19.4 мОм
• Мощность макс.: 2.5Вт
• Тип транзистора: P-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
• Заряд затвора: 38нКл
• Входная емкость: 1110пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: SOIC8
• Вес брутто: 0.24 г.
• Описание Eng: MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 4000 шт

Транзистор IRF9333TRPBF широко используется в различных электронных схемах и устройствах, таких как источники питания, инверторы, моторные приводы, усилители мощности и многие другие. Его высокая производительность, низкое сопротивление открытого канала и эффективность делают его отличным выбором для инженеров, стремящихся оптимизировать свои схемы и повысить их надежность.