Представляем вашему вниманию мощный полевой N-канальный MOSFET-транзистор IRF7478TRPBF от компании Infineon Technologies. Этот компонент отличается высокой надежностью, широким диапазоном рабочих характеристик и отлично подходит для использования в различных электронных устройствах и системах.

Основные технические характеристики транзистора IRF7478TRPBF:

• Напряжение исток-сток макс.: 60В
• Ток стока макс.: 7A
• Сопротивление открытого канала: 26 мОм
• Мощность макс.: 2.5Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 3В
• Заряд затвора: 31нКл
• Входная емкость: 1740пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Вес брутто: 0.23 г.
• Описание Eng: MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 4000 шт
• Корпус: SO-8

Транзистор IRF7478TRPBF от Infineon Technologies идеально подходит для использования в различных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, регуляторы напряжения, инверторы, двигатели и многих других. Благодаря своим высоким характеристикам и надежности, этот компонент станет отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создать высококачественные и эффективные электронные системы.