2N7002BKW,115, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 310мА, 0.88Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 310мА |
| Сопротивление открытого канала: | 1.6 Ом |
| Мощность макс.: | 275мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Automotive, Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.1В |
| Заряд затвора: | 0.6нКл |
| Входная емкость: | 50пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.05 г. |
| Наименование: | 2N7002BKW,115 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
| Корпус: | SOT-323 (SC-70) |
Описание
Представляем вашему вниманию транзистор 2N7002BKW,115 от надежного производителя NEXPERIA. Это полевой N-канальный MOSFET транзистор, предназначенный для использования в широком спектре электронных устройств и схем. Его высокие характеристики и надежность делают его незаменимым компонентом при разработке и производстве современной электроники.
Транзистор 2N7002BKW,115 обладает следующими ключевыми характеристиками:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В
- Ток стока макс.: 310мА
- Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
- Мощность макс.: 275мВт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В
- Заряд затвора: 0.6нКл
- Входная емкость: 50пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Вес брутто: 0.05 г
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 3000 шт
- Корпус: SOT-323 (SC-70)
Транзистор 2N7002BKW,115 находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как источники питания, усилители, коммутаторы, регуляторы напряжения и другие схемы, где требуется надежный и эффективный компонент с высокими характеристиками. Благодаря своим техническим параметрам и конструктивным особенностям, этот транзистор идеально подходит для использования в автомобильной электронике, системах управления и логических схемах.