SPW24N60C3FKSA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 24А 240Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 24.3A |
| Сопротивление открытого канала: | 160 мОм |
| Мощность макс.: | 240Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.9В |
| Заряд затвора: | 135нКл |
| Входная емкость: | 3000пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-247 |
| Вес брутто: | 8.5 г. |
| Наименование: | SPW24N60C3FKSA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 650V 24A 240W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 30 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор SPW24N60C3FKSA1 от компании Infineon Technologies. Этот N-канальный MOSFET транзистор с напряжением сток-исток до 650В и максимальным током стока до 24.3А обладает отличными рабочими характеристиками и широкими возможностями применения в современной электронике.
Транзистор SPW24N60C3FKSA1 демонстрирует высокую надежность и эффективность благодаря использованию передовых технологий Infineon. Его компактный корпус TO-247 и возможность монтажа методом через отверстие в плате делают этот компонент удобным и простым в использовании.
- Напряжение исток-сток макс.: 650В
- Ток стока макс.: 24.3A
- Сопротивление открытого канала: 160 мОм
- Мощность макс.: 240Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 3.9В
- Заряд затвора: 135нКл
- Входная емкость: 3000пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-247
- Вес брутто: 8.5 г
Транзистор SPW24N60C3FKSA1 находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, преобразователи напряжения, инверторы, сварочное оборудование и многое другое. Его высокие рабочие характеристики и надежность делают его идеальным выбором для разработчиков и инженеров, стремящихся к повышению эффективности и производительности своих устройств.