FQU2N60CTU, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 1.9 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 1.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 4.7 Ом |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 12нКл |
| Входная емкость: | 235пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-251 |
| Наименование: | FQU2N60CTU |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 5040 шт. |
Описание
FQU2N60CTU, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 1.9 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: ON Semiconductor. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 1.9A Сопротивление открытого канала: 4.7 Ом Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.