• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IPD60R385CPATMA1, Транзистор полевой N-канальный 650В 9A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:650В
Ток стока макс.:9A
Сопротивление открытого канала:385 мОм
Мощность макс.:83Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:3.5В
Заряд затвора:22нКл
Входная емкость:790пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Наименование:IPD60R385CPATMA1
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Нормоупаковка:2500 шт.
Корпус:PG-TO252-3

Описание

IPD60R385CPATMA1, Транзистор полевой N-канальный 650В 9A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.

Технические характеристики:

  • Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 385 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В

Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.

Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.