IPD60R385CPATMA1, Транзистор полевой N-канальный 650В 9A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 9A |
| Сопротивление открытого канала: | 385 мОм |
| Мощность макс.: | 83Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.5В |
| Заряд затвора: | 22нКл |
| Входная емкость: | 790пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPD60R385CPATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
| Корпус: | PG-TO252-3 |
Описание
IPD60R385CPATMA1, Транзистор полевой N-канальный 650В 9A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 9A Сопротивление открытого канала: 385 мОм Мощность макс.: 83Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.