NTS2101PT1G, Полевой транзистор, P-канальный, 8 В, 1.4 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 8В |
| Ток стока макс.: | 1.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 100 мОм |
| Мощность макс.: | 290мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 700mВ |
| Заряд затвора: | 6.4нКл |
| Входная емкость: | 640пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-323 |
| Наименование: | NTS2101PT1G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
Компонент NTS2101PT1G, Полевой транзистор, P-канальный, 8 В, 1.4 А - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 8В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 100 мОм Мощность макс.: 290мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.