NTR4170NT1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.2А 1,25Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 3.2А |
| Сопротивление открытого канала: | 55 мОм |
| Мощность макс.: | 780мВт |
| Тип транзистора: | N-канальный |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.4В |
| Заряд затвора: | 4.76нКл |
| Входная емкость: | 432пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23 |
| Вес брутто: | 0.05 г. |
| Наименование: | NTR4170NT1G |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
NTR4170NT1G, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 3.2А 1,25Вт - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 3.2А Сопротивление открытого канала: 55 мОм Мощность макс.: 780мВт Тип транзистора: N-канальный Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.