IRF7476TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 15A 8-SOIC
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 12В |
| Ток стока макс.: | 15A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 8 мОм @ 15А, 4.5В |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.9В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 40нКл @ 4.5В |
| Входная емкость: | 2550пФ @ 6В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | IRF7476TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC |
| Нормоупаковка: | 4000 шт. |
Описание
IRF7476TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 12В 15A 8-SOIC - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 15A(Ta) Сопротивление открытого канала: 8 мОм @ 15А, 4.5В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.