• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRF7210TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 16A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:12В
Ток стока макс.:16A
Сопротивление открытого канала:7 мОм
Мощность макс.:2.5Вт
Тип транзистора:P-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:600mВ
Заряд затвора:212нКл
Входная емкость:17179пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Вес брутто:0.1 г.
Наименование:IRF7210TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:1000 шт
Корпус:SO-8

Описание

Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор P-канала IRF7210TRPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Данная модель является отличным выбором для широкого спектра электронных устройств, требующих надежного и эффективного управления электрическими нагрузками.

Транзистор IRF7210TRPBF отличается высокой производительностью и стабильностью характеристик. Он способен коммутировать токи до 16 ампер при максимальном напряжении сток-исток 12 вольт, демонстрируя низкое сопротивление открытого канала всего 7 милliом.

  • Напряжение исток-сток макс.: 12В
  • Ток стока макс.: 16A
  • Сопротивление открытого канала: 7 мОм
  • Мощность макс.: 2.5Вт
  • Тип транзистора: P-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 600mВ
  • Заряд затвора: 212нКл
  • Входная емкость: 17179пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Вес брутто: 0.1 г
  • Описание Eng: MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 1000 шт
  • Корпус: SO-8

Транзистор IRF7210TRPBF находит широкое применение в импульсных источниках питания, инверторах, регуляторах напряжения, двигателях постоянного тока и других устройствах, требующих надежного управления электрической нагрузкой. Его высокая производительность, малое тепловыделение и компактные размеры делают его идеальным выбором для современных компактных электронных систем.