FQD13N06LTM, Транзистор полевой N-канальный 60В 11A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 11A |
| Сопротивление открытого канала: | 115 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 6.4нКл |
| Входная емкость: | 350пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | TO-252-3 |
| Наименование: | FQD13N06LTM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 11A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
FQD13N06LTM, Транзистор полевой N-канальный 60В 11A - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 115 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.