PMZB350UPE,315, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 1A |
| Сопротивление открытого канала: | 450 мОм |
| Мощность макс.: | 360мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 950mВ |
| Заряд затвора: | 1.9нКл |
| Входная емкость: | 127пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-883 |
| Наименование: | PMZB350UPE,315 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 20V 1A 3DFN |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 10000 шт. |
Описание
PMZB350UPE,315, Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 1 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 1A Сопротивление открытого канала: 450 мОм Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: NEXPERIA. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.