FDMC86160, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 9 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 9A |
| Сопротивление открытого канала: | 14 мОм |
| Мощность макс.: | 2.3Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 22нКл |
| Входная емкость: | 1290пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.1 г. |
| Наименование: | FDMC86160 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N CH 100V 9A POWER33 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
| Корпус: | Power33 |
Описание
Компонент FDMC86160, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 9 А (ON Semiconductor), категория электронные компоненты.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Входная емкость: 1290пФ
- Заряд затвора: 22нКл
- Корпус: Power33
- Мощность макс.: 2.3Вт
- Наименование: FDMC86160
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Нормоупаковка: 3000 шт.
- Описание Eng: MOSFET N CH 100V 9A POWER33