FDP025N06, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 120A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.5 мОм |
| Мощность макс.: | 395Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 226нКл |
| Входная емкость: | 14885пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FDP025N06 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт |
Описание
Техническое описание: FDP025N06, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В
- Нормоупаковка: 1000 шт
- Описание Eng: MOSFET N-CH 60V 120A TO-220
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 2.5 мОм
- Тип монтажа: Through Hole
- Тип транзистора: N-канал