FQD10N20CTM, Транзистор полевой N-канальный 200В 7.8A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 7.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 360 мОм |
| Мощность макс.: | 50Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 26нКл |
| Входная емкость: | 510пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | FQD10N20CTM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
FQD10N20CTM, Транзистор полевой N-канальный 200В 7.8A — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Сопротивление открытого канала: 360 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 7.8A
- Входная емкость: 510пФ
- Заряд затвора: 26нКл
- Корпус: DPAK/TO-252AA