FQD19N10LTM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 15.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 100 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 18нКл |
| Входная емкость: | 870пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | TO-252-3 |
| Вес брутто: | 0.47 г. |
| Наименование: | FQD19N10LTM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Техническое описание: FQD19N10LTM, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15.6A. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Корпус: TO-252-3
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Наименование: FQD19N10LTM
- Напряжение исток-сток макс.: 100В
- Нормоупаковка: 2500 шт
- Описание Eng: MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2В