FQD4P25TM_WS, Транзистор полевой P-канальный 250В 3.1A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 250В |
| Ток стока макс.: | 3.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.1 Ом |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 14нКл |
| Входная емкость: | 420пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | FQD4P25TM_WS |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
Техническое описание: FQD4P25TM_WS, Транзистор полевой P-канальный 250В 3.1A. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Тип транзистора: P-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 3.1A
- Входная емкость: 420пФ
- Заряд затвора: 14нКл
- Корпус: DPAK/TO-252AA
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Наименование: FQD4P25TM_WS