FQI4N80TU, Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 3.9 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 3.9A |
| Сопротивление открытого канала: | 3.6 Ом |
| Мощность макс.: | 3.13Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 25нКл |
| Входная емкость: | 880пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | I2PAK |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FQI4N80TU |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт. |
Описание
FQI4N80TU, Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 3.9 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 3.9A Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.