Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала от компании Infineon Technologies - IRF530NPBF. Этот надежный и эффективный компонент отличается широким диапазоном рабочих характеристик, что делает его идеальным выбором для широкого спектра применений в электронных устройствах.

Транзистор IRF530NPBF обладает максимальным напряжением сток-исток 100 В и максимальным током стока до 17 А, что позволяет использовать его в мощных схемах. Его сопротивление открытого канала всего 90 мОм обеспечивает низкие потери и высокую эффективность. Кроме того, этот транзистор имеет максимальную мощность рассеяния 70 Вт, что делает его отличным выбором для применений, требующих высокой мощности.

• Напряжение исток-сток макс.: 100В
• Ток стока макс.: 17A
• Сопротивление открытого канала: 90 мОм
• Мощность макс.: 70Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 37нКл
• Входная емкость: 920пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220
• Вес брутто: 3.01 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Транзистор IRF530NPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, регуляторы мощности, моторные приводы и другие устройства, требующие высокую мощность и эффективность. Его характеристики делают его идеальным выбором для разработчиков, стремящихся создавать надежные и энергоэффективные электронные схемы.