IRFZ44NPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 50В 49А 110Вт, 0.022 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 55В |
| Ток стока макс.: | 49A |
| Сопротивление открытого канала: | 17.5 мОм |
| Мощность макс.: | 94Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 63нКл |
| Входная емкость: | 1470пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 3 г. |
| Наименование: | IRFZ44NPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала IRFZ44NPBF от компании Infineon Technologies. Этот надёжный и эффективный компонент отличается впечатляющими характеристиками и широкой областью применения в современной электронике.
Транзистор IRFZ44NPBF обладает максимальным напряжением исток-сток до 55В, максимальным током стока до 49А и сопротивлением открытого канала всего 17.5 мОм. Эти параметры позволяют использовать данный компонент в мощных электронных схемах, требующих высокой токовой нагрузки и эффективного управления.
- Напряжение исток-сток макс.: 55В
- Ток стока макс.: 49A
- Сопротивление открытого канала: 17.5 мОм
- Мощность макс.: 94Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 63нКл
- Входная емкость: 1470пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220AB
- Вес брутто: 3 г
Транзистор IRFZ44NPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, регуляторы напряжения, инверторы, усилители мощности и другие устройства, требующие надёжного и эффективного управления мощными электрическими нагрузками. Благодаря своим характеристикам, этот компонент является отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать высокопроизводительные и энергоэффективные электронные системы.