IRF7207TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.4A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 5.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 60 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 700mВ |
| Заряд затвора: | 22нКл |
| Входная емкость: | 780пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.12 г. |
| Наименование: | IRF7207TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET P-канал 20В/ 5.4А/2.5Вт/0.06 Ом |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Полевой MOSFET транзистор IRF7207TRPBF производства Infineon Technologies представляет собой мощный P-канальный ключевой элемент, предназначенный для коммутации высоких токов в цепях питания и управления. Данная модель отличается высокой надежностью, малым сопротивлением открытого канала и широкими возможностями применения в современной электронной аппаратуре.
Ключевые характеристики транзистора IRF7207TRPBF:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В
- Ток стока макс.: 5.4A
- Сопротивление открытого канала: 60 мОм
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Тип транзистора: P-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 700mВ
- Заряд затвора: 22нКл
- Входная емкость: 780пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: SO-8
Транзистор IRF7207TRPBF может использоваться в широком спектре электронных устройств в качестве ключевого элемента в схемах управления питанием, коммутации нагрузок, защиты от перегрузок и других применениях, требующих высокой коммутационной способности и малых потерь. Область применения включает преобразователи напряжения, блоки питания, инверторы, электродвигатели, светотехнику и другие устройства силовой электроники.