FQPF10N60C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.5А 50Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 9.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 730 мОм |
| Мощность макс.: | 50Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 57нКл |
| Входная емкость: | 2040пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220F |
| Вес брутто: | 2.91 г. |
| Наименование: | FQPF10N60C |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 600V 9.5A 50W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
FQPF10N60C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 9.5А 50Вт - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 9.5A Сопротивление открытого канала: 730 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.