IRF7402TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.8A 8-SOIC
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 6.8A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 35 мОм @ 4.1А, 4.5В |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 700mВ @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 22нКл @ 4.5В |
| Входная емкость: | 650пФ @ 15В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | IRF7402TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 6.8A 8-SOIC |
| Нормоупаковка: | 4000 шт. |
Описание
IRF7402TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 6.8A 8-SOIC - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 6.8A(Ta) Сопротивление открытого канала: 35 мОм @ 4.1А, 4.5В Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.