STB6N80K5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.5A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 4.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 1.6 Ом |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 7.5нКл |
| Входная емкость: | 255пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.2 г. |
| Наименование: | STB6N80K5 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт |
Описание
Надежный и высокопроизводительный N-канальный MOSFET транзистор STB6N80K5 от компании ST Microelectronics отличается впечатляющими техническими характеристиками и широкими возможностями применения в современной электронике. Этот транзистор разработан для использования в высоковольтных и высокотоковых схемах, где требуется высокая надежность и эффективность.
Основные характеристики транзистора STB6N80K5:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В
- Ток стока макс.: 4.5А
- Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
- Мощность макс.: 110Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Заряд затвора: 7.5нКл
- Входная емкость: 255пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Вес брутто: 1.2 г
Транзистор STB6N80K5 идеально подходит для использования в широком спектре применений, включая импульсные источники питания, инверторы, преобразователи постоянного тока, а также в различных промышленных и бытовых электронных устройствах, требующих высоковольтных и высокотоковых компонентов. Благодаря своим выдающимся характеристикам и надежной конструкции, этот транзистор обеспечивает эффективную и безопасную работу электронных схем.