Полевой транзистор MOSFET N-канальный IRF7815TRPBF производства Infineon Technologies - это высокопроизводительный электронный компонент, предназначенный для использования в современных электронных устройствах. Данный транзистор отличается высокой надежностью, эффективностью и универсальностью, что делает его востребованным решением для широкого спектра применений.

Ключевые характеристики транзистора IRF7815TRPBF:

• Напряжение исток-сток макс.: 150В
• Ток стока макс.: 5.1A
• Сопротивление открытого канала: 43 мОм
• Мощность макс.: 2.5Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5В
• Заряд затвора: 38нКл
• Входная емкость: 1647пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Вес брутто: 0.25 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 4000 шт
• Корпус: SO-8

Транзистор IRF7815TRPBF находит широкое применение в различных электронных устройствах, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, системы управления двигателями, светодиодные драйверы и многое другое. Его высокие рабочие характеристики, включая большое напряжение и ток, делают его идеальным выбором для использования в мощных электронных схемах, требующих высокой производительности и надежности.