Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET N-канала от компании Infineon Technologies - IRF3808STRLPBF. Этот транзистор отличается высокой надежностью, низким сопротивлением открытого канала и способен выдерживать большие токи и напряжения, что делает его отличным выбором для широкого спектра применений в электронной промышленности.

Основные технические характеристики транзистора IRF3808STRLPBF:

• Напряжение исток-сток макс.: 75В
• Ток стока макс.: 106A
• Сопротивление открытого канала: 7 мОм
• Мощность макс.: 200Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 220нКл
• Входная емкость: 5310пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: D2Pak (TO-263)
• Вес брутто: 1.35 г
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 800 шт

Транзистор IRF3808STRLPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как силовая электроника, инверторы, импульсные источники питания, системы управления электроприводами и многое другое. Его характеристики делают его идеальным выбором для использования в высокомощных и высокоэффективных схемах, где требуется надежная и производительная компонентная база.