FDS4675, Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 11 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 40В |
| Ток стока макс.: | 11A |
| Сопротивление открытого канала: | 13 мОм |
| Мощность макс.: | 1.2Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 56нКл |
| Входная емкость: | 4350пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOIC8 |
| Наименование: | FDS4675 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 40V 11A 8SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
FDS4675, Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 11 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 40В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 13 мОм Мощность макс.: 1.2Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.