FDP10N60NZ, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 10 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 10A |
| Сопротивление открытого канала: | 750 мОм |
| Мощность макс.: | 185Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 30нКл |
| Входная емкость: | 1475пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FDP10N60NZ |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт. |
Описание
FDP10N60NZ, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 10 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 185Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.