DMN1019UFDE-7, Транзистор полевой N-канальный 12В 11A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 12В |
| Ток стока макс.: | 11A |
| Сопротивление открытого канала: | 10 мОм |
| Мощность макс.: | 690мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 800mВ |
| Заряд затвора: | 50.6нКл |
| Входная емкость: | 2425пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | DMN1019UFDE-7 |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Описание Eng: | MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
| Корпус: | uDFN6 |
Описание
Компонент DMN1019UFDE-7, Транзистор полевой N-канальный 12В 11A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 690мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Diodes Incorporated. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.