SI3440DV-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 150В 1.2A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 150В |
| Ток стока макс.: | 1.2A |
| Сопротивление открытого канала: | 375 мОм |
| Мощность макс.: | 1.14Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 8нКл |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | 6-TSOP |
| Наименование: | SI3440DV-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
SI3440DV-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 150В 1.2A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 150В Ток стока макс.: 1.2A Сопротивление открытого канала: 375 мОм Мощность макс.: 1.14Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.