IRF9310TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 20A 8-SOIC, 2.5Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 20A |
| Сопротивление открытого канала: | 4.6 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.4В |
| Заряд затвора: | 165нКл |
| Входная емкость: | 5250пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.23 г. |
| Наименование: | IRF9310TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC, 2.5W |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET P-канала от компании Infineon Technologies - IRF9310TRPBF. Этот высокопроизводительный компонент обладает впечатляющими техническими характеристиками и широкими возможностями применения в современной электронике.
Транзистор IRF9310TRPBF отличается высокой коммутационной способностью, низким сопротивлением открытого канала и стабильной работой в широком диапазоне температур. Он идеально подходит для использования в качестве ключевого элемента в различных силовых схемах, импульсных источниках питания, регуляторах напряжения и других устройствах, требующих управления высокими токами и напряжениями.
- Напряжение исток-сток макс.: 30В
- Ток стока макс.: 20A
- Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Тип транзистора: P-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
- Заряд затвора: 165нКл
- Входная емкость: 5250пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Вес брутто: 0.23 г.
Транзистор IRF9310TRPBF с легкостью справится с задачами управления мощными нагрузками в различных областях электроники, таких как регулирование скорости электродвигателей, коммутация силовых цепей, защита от перегрузок и многое другое. Благодаря компактному корпусу SOIC-8 и высокой надежности, данный компонент найдет свое применение в широком спектре современных электронных устройств.