• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRF9310TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 20A 8-SOIC, 2.5Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:30В
Ток стока макс.:20A
Сопротивление открытого канала:4.6 мОм
Мощность макс.:2.5Вт
Тип транзистора:P-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:2.4В
Заряд затвора:165нКл
Входная емкость:5250пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Вес брутто:0.23 г.
Наименование:IRF9310TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET P-CH 30V 20A 8-SOIC, 2.5W
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:4000 шт
Корпус:SO-8

Описание

Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET P-канала от компании Infineon Technologies - IRF9310TRPBF. Этот высокопроизводительный компонент обладает впечатляющими техническими характеристиками и широкими возможностями применения в современной электронике.

Транзистор IRF9310TRPBF отличается высокой коммутационной способностью, низким сопротивлением открытого канала и стабильной работой в широком диапазоне температур. Он идеально подходит для использования в качестве ключевого элемента в различных силовых схемах, импульсных источниках питания, регуляторах напряжения и других устройствах, требующих управления высокими токами и напряжениями.

  • Напряжение исток-сток макс.: 30В
  • Ток стока макс.: 20A
  • Сопротивление открытого канала: 4.6 мОм
  • Мощность макс.: 2.5Вт
  • Тип транзистора: P-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 2.4В
  • Заряд затвора: 165нКл
  • Входная емкость: 5250пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Вес брутто: 0.23 г.

Транзистор IRF9310TRPBF с легкостью справится с задачами управления мощными нагрузками в различных областях электроники, таких как регулирование скорости электродвигателей, коммутация силовых цепей, защита от перегрузок и многое другое. Благодаря компактному корпусу SOIC-8 и высокой надежности, данный компонент найдет свое применение в широком спектре современных электронных устройств.