IRFB3306GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A TO-220AB
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 120A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 4.2 мОм @ 75А, 10В |
| Мощность макс.: | 230Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Standard |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 150 µA |
| Заряд затвора: | 120нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 4520пФ @ 50В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Наименование: | IRFB3306GPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 160A TO-220AB |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
IRFB3306GPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 160A TO-220AB - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 4.2 мОм @ 75А, 10В Мощность макс.: 230Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Standard
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.