Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор MOSFET от компании Infineon Technologies - IPN60R3K4CEATMA1. Этот транзистор отличается исключительными характеристиками, которые делают его незаменимым компонентом в широком спектре электронных устройств.

Ключевые характеристики данного транзистора:

• Напряжение исток-сток макс.: 600В
• Ток стока макс.: 2.6A
• Тип транзистора: N-канал
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: PG-SOT223-4
• Вес брутто: 0.85 г
• Описание Eng: MOSFET, N-CH, 600V, 2.6A, SOT-223-3
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 3000 шт

Транзистор IPN60R3K4CEATMA1 от Infineon Technologies отличается высокой надежностью и эффективностью, что делает его идеальным выбором для широкого круга применений. Он может использоваться в импульсных источниках питания, преобразователях постоянного тока, инверторах, системах управления двигателями и многих других электронных устройствах, где требуется высокая производительность и надежность. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является отличным решением для разработчиков, стремящихся создавать высококачественные и энергоэффективные электронные системы.