Представляем вашему вниманию полевой MOSFET-транзистор N-канального типа IRFL4105TRPBF от компании Infineon Technologies. Этот компонент отличается высокой надежностью, эффективностью и универсальностью применения в различных электронных устройствах.

Транзистор IRFL4105TRPBF обладает впечатляющими техническими характеристиками, которые делают его востребованным решением для широкого круга задач. Ключевые параметры этого компонента включают в себя максимальное напряжение исток-сток 55В, максимальный ток стока 3.7А, сопротивление открытого канала всего 45 мОм и максимальную мощность 1Вт.

• Напряжение исток-сток макс.: 55В
• Ток стока макс.: 3.7A
• Сопротивление открытого канала: 45 мОм
• Мощность макс.: 1Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Особенности: Logic Level Gate
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 35нКл
• Входная емкость: 660пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: SOT-223
• Вес брутто: 0.85 г.
• Описание Eng: N-Ch 55V 5,2A 2,1W 0,045R SOT223
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 2500 шт

Транзистор IRFL4105TRPBF находит широкое применение в различных электронных устройствах, включая импульсные источники питания, преобразователи напряжения, приводные системы, бытовую технику и многое другое. Его высокая эффективность, малые габариты и надежность делают этот компонент незаменимым для инженеров, разрабатывающих современную электронику.