IRFS4227TRLPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 62A |
| Сопротивление открытого канала: | 26 мОм |
| Мощность макс.: | 330Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 98нКл |
| Входная емкость: | 4600пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 1.8 г. |
| Наименование: | IRFS4227TRLPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный IRFS4227TRLPBF от компании Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный компонент отличается высокой надежностью, эффективностью и универсальностью применения в современной электронике.
Транзистор IRFS4227TRLPBF обладает впечатляющими характеристиками, которые делают его идеальным выбором для широкого спектра применений, включая источники питания, инверторы, приводы двигателей и другие высокопроизводительные схемы.
- Напряжение исток-сток макс.: 200В
- Ток стока макс.: 62A
- Сопротивление открытого канала: 26 мОм
- Мощность макс.: 330Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Заряд затвора: 98нКл
- Входная емкость: 4600пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Вес брутто: 1.8 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 800 шт
Благодаря своим выдающимся характеристикам, транзистор IRFS4227TRLPBF находит широкое применение в различных областях электроники, таких как источники питания, инверторы, приводы двигателей, системы управления мощностью и многое другое. Его надежность, эффективность и универсальность делают его незаменимым компонентом для современных высокотехнологичных устройств.