IPD50R500CEAUMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 7.6A 57Вт 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 550В |
| Ток стока макс.: | 7.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 500 мОм |
| Мощность макс.: | 57Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | ±20В |
| Заряд затвора: | 18.7нКл |
| Входная емкость: | 433пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D-Pak |
| Вес брутто: | 0.7 г. |
| Наименование: | IPD50R500CEAUMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канального типа от компании Infineon Technologies - IPD50R500CEAUMA1. Этот надежный и эффективный компонент отличается широкими техническими характеристиками, что позволяет использовать его в самых различных сферах электроники.
Ключевыми особенностями данного транзистора являются:
- Напряжение исток-сток макс.: 550В
- Ток стока макс.: 7.6A
- Сопротивление открытого канала: 500 мОм
- Мощность макс.: 57Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: ±20В
- Заряд затвора: 18.7нКл
- Входная емкость: 433пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D-Pak
- Вес брутто: 0.7 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 2500 шт
Благодаря своим техническим характеристикам, транзистор IPD50R500CEAUMA1 может применяться в широком спектре электронных устройств: в импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях, устройствах плавного пуска и многих других. Его высокая надежность и эффективность делают его незаменимым компонентом в современной электронной промышленности.