• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRFR5505TRPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:55В
Ток стока макс.:18A
Сопротивление открытого канала:110 мОм
Мощность макс.:57Вт
Тип транзистора:P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:32нКл
Входная емкость:650пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:DPAK/TO-252AA
Вес брутто:0.65 г.
Наименование:IRFR5505TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET P-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:2000 шт

Описание

Представляем вашему вниманию MOSFET-транзистор IRFR5505TRPBF от Infineon Technologies – высокопроизводительный компонент, идеально подходящий для широкого спектра электронных устройств. Этот мощный p-канальный MOSFET-транзистор отличается высокой надёжностью, эффективностью и универсальностью применения.

Транзистор IRFR5505TRPBF обладает впечатляющими характеристиками, которые делают его востребованным решением для различных электронных схем и приложений. Его основные технические параметры включают:

  • Напряжение исток-сток макс.: 55В
  • Ток стока макс.: 18A
  • Сопротивление открытого канала: 110 мОм
  • Мощность макс.: 57Вт
  • Тип транзистора: P-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4В
  • Заряд затвора: 32нКл
  • Входная емкость: 650пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: DPAK/TO-252AA
  • Вес брутто: 0.65 г
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 2000 шт

Транзистор IRFR5505TRPBF находит широкое применение в различных электронных схемах и устройствах, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, регуляторы мощности, моторные приводы и многое другое. Его высокая производительность, эффективность и надёжность делают его идеальным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать передовые электронные решения.