SI4434DY-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 2.1A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 250В |
| Ток стока макс.: | 2.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 155 мОм |
| Мощность макс.: | 1.56Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 50нКл |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.2 г. |
| Наименование: | SI4434DY-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Компонент SI4434DY-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 2.1A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 155 мОм Мощность макс.: 1.56Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.