IRF7468TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9.4A 8-Pin SOIC лента на катушке
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 40В |
| Ток стока макс.: | 9.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 15.5 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 34нКл |
| Входная емкость: | 2460пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.14 г. |
| Наименование: | IRF7468TRPBF |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin SOIC T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
Представляем вашему вниманию транзистор полевой MOSFET N-канальный IRF7468TRPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный компонент отличается надежностью, высокой токовой нагрузкой и низким сопротивлением открытого канала, что делает его незаменимым выбором для широкого спектра электронных устройств и силовых схем.
Благодаря своим техническим характеристикам, транзистор IRF7468TRPBF идеально подходит для использования в различных приложениях, таких как источники питания, инверторы, преобразователи, регуляторы напряжения, а также в системах управления двигателями и другой силовой электронике.
- Напряжение исток-сток макс.: 40В
- Ток стока макс.: 9.4A
- Сопротивление открытого канала: 15.5 мОм
- Мощность макс.: 2.5Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2В
- Заряд затвора: 34нКл
- Входная емкость: 2460пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Вес брутто: 0.14 г.
- Описание Eng: MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 4000 шт
- Корпус: SO-8
Транзистор IRF7468TRPBF от Infineon Technologies является надежным и эффективным решением для широкого круга электронных устройств, где требуются высокая производительность, низкие потери и компактные размеры. Этот компонент обеспечивает оптимальное сочетание технических характеристик и энергоэффективности, делая его идеальным выбором для современных силовых схем и систем управления.