• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

IRF7468TRPBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 9.4A 8-Pin SOIC лента на катушке

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:Infineon Technologies
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:40В
Ток стока макс.:9.4A
Сопротивление открытого канала:15.5 мОм
Мощность макс.:2.5Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:34нКл
Входная емкость:2460пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Вес брутто:0.14 г.
Наименование:IRF7468TRPBF
Производитель:Infineon Technologies
Описание Eng:MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:4000 шт
Корпус:SO-8

Описание

Представляем вашему вниманию транзистор полевой MOSFET N-канальный IRF7468TRPBF от ведущего производителя Infineon Technologies. Этот высокопроизводительный компонент отличается надежностью, высокой токовой нагрузкой и низким сопротивлением открытого канала, что делает его незаменимым выбором для широкого спектра электронных устройств и силовых схем.

Благодаря своим техническим характеристикам, транзистор IRF7468TRPBF идеально подходит для использования в различных приложениях, таких как источники питания, инверторы, преобразователи, регуляторы напряжения, а также в системах управления двигателями и другой силовой электронике.

  • Напряжение исток-сток макс.: 40В
  • Ток стока макс.: 9.4A
  • Сопротивление открытого канала: 15.5 мОм
  • Мощность макс.: 2.5Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 2В
  • Заряд затвора: 34нКл
  • Входная емкость: 2460пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Вес брутто: 0.14 г.
  • Описание Eng: MOSFET N-CH 40V 9.4A 8-Pin SOIC T/R
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 4000 шт
  • Корпус: SO-8

Транзистор IRF7468TRPBF от Infineon Technologies является надежным и эффективным решением для широкого круга электронных устройств, где требуются высокая производительность, низкие потери и компактные размеры. Этот компонент обеспечивает оптимальное сочетание технических характеристик и энергоэффективности, делая его идеальным выбором для современных силовых схем и систем управления.